Антава

ONSEMI

Транзистор NTR4171PT1G

NTR4171PT1G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-1.5 A
Рассеиваемая мощность
1.25 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 31 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%104,19 ₽

Сумма · с НДС 22%104,19 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1104,19 ₽
от 579,04 ₽
от 1069,16 ₽
от 2557,66 ₽
от 5050,48 ₽
от 10044,37 ₽
от 25037,54 ₽
от 50033,41 ₽
от 100030,90 ₽
от 300026,95 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNTR4171PT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-1.5 A
Рассеиваемая мощность1.25 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.15 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23

Документация

Документ производителяДокумент производителя