Антава

ONSEMI

Транзистор NTR4170NT1G

NTR4170NT1G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
1.7 A
Рассеиваемая мощность
0.48 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 059 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%99,34 ₽

Сумма · с НДС 22%99,34 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 199,34 ₽
от 584,35 ₽
от 1073,85 ₽
от 5051,17 ₽
от 10043,86 ₽
от 50031,30 ₽
от 100027,93 ₽
от 150026,05 ₽
от 300025,12 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNTR4170NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current1.7 A
Рассеиваемая мощность0.48 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance55 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.