Антава

ONSEMI

Транзистор NTR4101PT1G

NTR4101PT1G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-1.7 A
Рассеиваемая мощность
0.21 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 476 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%81,22 ₽

Сумма · с НДС 22%81,22 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 181,22 ₽
от 541,87 ₽
от 1039,17 ₽
от 2036,28 ₽
от 5032,85 ₽
от 10030,32 ₽
от 50024,55 ₽
от 100021,84 ₽
от 150020,39 ₽
от 300017,87 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNTR4101PT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-1.7 A
Рассеиваемая мощность0.21 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.21 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; 0.21W; SOT23

Документация

Документ производителя