Антава

ONSEMI

Транзистор NTR2101PT1G

NTR2101PT1G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-8 V
Drain current
-3 A
Power dissipation
0.96 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 650 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%105,32 ₽

Сумма · с НДС 22%105,32 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1105,32 ₽
от 1066,39 ₽
от 5041,38 ₽
от 10034,23 ₽
от 25027,08 ₽
от 50023,13 ₽
от 100020,50 ₽
от 150019,37 ₽
от 300018,43 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNTR2101PT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-8 V
Drain current-3 A
Power dissipation0.96 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance52 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.