Антава

ONSEMI

Транзистор NTR1P02T1G

NTR1P02T1G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-1 A
Power dissipation
0.4 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 900 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%79,78 ₽

Сумма · с НДС 22%79,78 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 179,78 ₽
от 542,93 ₽
от 1040,27 ₽
от 5034,76 ₽
от 10032,10 ₽
от 50026,40 ₽
от 100024,31 ₽
от 150023,17 ₽
от 300021,46 ₽
от 600019,56 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNTR1P02T1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-1 A
Power dissipation0.4 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.18 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.4W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.