Антава

ONSEMI

Транзистор NTR1P02LT3G

NTR1P02LT3G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-1.3 A
Power dissipation
0.4 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTR1P02LT3G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-1.3 A
Power dissipation0.4 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.22 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.4W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.