Антава

ONSEMI

Транзистор NTR1P02LT1G

NTR1P02LT1G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-1.3 A
Рассеиваемая мощность
0.4 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 590 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%84,35 ₽

Сумма · с НДС 22%84,35 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 184,35 ₽
от 1057,17 ₽
от 2553,98 ₽
от 10037,49 ₽
от 25032,80 ₽
от 50024,74 ₽
от 100021,93 ₽
от 300017,62 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNTR1P02LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-1.3 A
Рассеиваемая мощность0.4 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.22 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.4W; SOT23

Документация

Документ производителя