Антава

ONSEMI

Транзистор NTPF165N65S3H

NTPF165N65S3H
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
19 A
Pulsed drain current
53 A
Power dissipation
33 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTPF165N65S3H
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current19 A
Pulsed drain current53 A
Power dissipation33 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.165 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge35nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 33W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.