Антава

ONSEMI

Транзистор NTP6412ANG

NTP6412ANG
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
58 A
Pulsed drain current
240 A
Power dissipation
167 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTP6412ANG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current58 A
Pulsed drain current240 A
Power dissipation167 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance18.2 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge73nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; Idm: 240A; 167W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.