Антава

ONSEMI

Транзистор NTNS3193NZT5G

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
224 mA
Pulsed drain current
0.673 A
Рассеиваемая мощность
0.12 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTNS3193NZT5G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current224 mA
Pulsed drain current0.673 A
Рассеиваемая мощность0.12 W
КорпусXLLGA3
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance1.4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 224mA; Idm: 0.673A; 120mW

Документация

Документы пока не предоставлены.