Антава

ONSEMI

Транзистор NTNS3166NZT5G

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
361 mA
Pulsed drain current
1.082 A
Рассеиваемая мощность
155 mW
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTNS3166NZT5G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current361 mA
Pulsed drain current1.082 A
Рассеиваемая мощность155 mW
КорпусSOT883
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.7 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 361mA; Idm: 1.082A; 155mW

Документация

Документы пока не предоставлены.