Антава

ONSEMI

Транзистор NTMYS2D4N04CTWG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
138 A
Pulsed drain current
829 A
Рассеиваемая мощность
27 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTMYS2D4N04CTWG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current138 A
Pulsed drain current829 A
Рассеиваемая мощность27 W
КорпусLFPAK56
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge32nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 138A; Idm: 829A; 27W; LFPAK56

Документация

Документы пока не предоставлены.