Антава

ONSEMI

Транзистор NTMTSC4D3N15MC

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
174 A
Pulsed drain current
900 A
Power dissipation
293 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTMTSC4D3N15MC
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current174 A
Pulsed drain current900 A
Power dissipation293 W
КорпусTDFNW8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.45 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge79nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 174A; Idm: 900A; 293W; TDFNW8

Документация

Документы пока не предоставлены.