Антава

ONSEMI

Транзистор NTMTSC1D6N10MCTXG

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
267A
Pulsed drain current
900A
Power dissipation
145W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTMTSC1D6N10MCTXG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current267A
Pulsed drain current900A
Power dissipation145W
КорпусPower88
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.7mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge106nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 267A; Idm: 900A; 145W; Power88

Документация

Документы пока не предоставлены.