ONSEMI

Транзистор NTMTSC002N10MCTXG

TDFNW8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 236 A
Pulsed drain current: 900 A
Power dissipation: 128 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NTMTSC002N10MCTXG
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	236 A
Pulsed drain current	900 A
Power dissipation	128 W
Корпус	TDFNW8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	2 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	89nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 236A; Idm: 900A; 128W; TDFNW8

Документация

Документы пока не предоставлены.