Антава

ONSEMI

Транзистор NTMTS0D7N06CTXG

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
464 A
Pulsed drain current
900 A
Power dissipation
147.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTMTS0D7N06CTXG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current464 A
Pulsed drain current900 A
Power dissipation147.3 W
КорпусTDFNW8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance720µΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge152nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 464A; Idm: 900A; 147.3W; TDFNW8

Документация

Документы пока не предоставлены.