Антава

ONSEMI

Транзистор NTMTS0D7N04CTXG

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
420A
Pulsed drain current
900A
Power dissipation
103W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTMTS0D7N04CTXG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current420A
Pulsed drain current900A
Power dissipation103W
КорпусPower88
Gate-source voltage±20V
On-state resistance670µΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.14µC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 420A; Idm: 900A; 103W; Power88

Документация

Документы пока не предоставлены.