Антава

ONSEMI

Транзистор NTMTS001N06CTXG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
376 A
Pulsed drain current
900 A
Рассеиваемая мощность
122 W

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяNTMTS001N06CTXG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current376 A
Pulsed drain current900 A
Рассеиваемая мощность122 W
КорпусPower88
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance910µΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge113nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 376A; Idm: 900A; 122W; Power88

Документация

Документы пока не предоставлены.