Антава

ONSEMI

Транзистор NTMT150N65S3HF

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
24A
Pulsed drain current
60A
Power dissipation
192W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTMT150N65S3HF
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current24A
Pulsed drain current60A
Power dissipation192W
КорпусTDFN4
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.15Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge43nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; TDFN4

Документация

Документы пока не предоставлены.