Антава

ONSEMI

Транзистор NTMT110N65S3HF

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
30 A
Pulsed drain current
69 A
Power dissipation
240 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTMT110N65S3HF
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current30 A
Pulsed drain current69 A
Power dissipation240 W
КорпусTDFN4
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.11 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge62nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TDFN4

Документация

Документы пока не предоставлены.