Антава

ONSEMI

Транзистор NTMT061N60S5F

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
41A
Pulsed drain current
146A
Power dissipation
255W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTMT061N60S5F
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current41A
Pulsed drain current146A
Power dissipation255W
КорпусTDFN4
Gate-source voltage±30V
On-state resistance61mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge76nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 41A; Idm: 146A; 255W; TDFN4

Документация

Документы пока не предоставлены.