Антава

ONSEMI

Транзистор NTMJS1D4N06CLTWG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
262 A
Pulsed drain current
900 A
Power dissipation
90 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTMJS1D4N06CLTWG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current262 A
Pulsed drain current900 A
Power dissipation90 W
КорпусLFPAK8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge103nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 262A; Idm: 900A; 90W; LFPAK8

Документация

Документы пока не предоставлены.