Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFSC4D2N10MC

NTMFSC4D2N10MC
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
116 A
Pulsed drain current
900 A
Power dissipation
122 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTMFSC4D2N10MC
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current116 A
Pulsed drain current900 A
Power dissipation122 W
КорпусDFN8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge42nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 116A; Idm: 900A; 122W; DFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.