Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFS7D8N10GTWG

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
110A
Pulsed drain current
1656A
Power dissipation
187W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTMFS7D8N10GTWG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current110A
Pulsed drain current1656A
Power dissipation187W
КорпусPQFN8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance7.6mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge92nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; Idm: 1656A; 187W; PQFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.