ONSEMI

Транзистор NTMFS6H852NLT1G

DFN5Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 42 A
Pulsed drain current: 208 A
Power dissipation: 27 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NTMFS6H852NLT1G
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	42 A
Pulsed drain current	208 A
Power dissipation	27 W
Корпус	DFN5
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	13.1 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	17nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 42A; Idm: 208A; 27W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.