Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFS6H848NLT1G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
59 A
Pulsed drain current
319 A
Power dissipation
37 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTMFS6H848NLT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current59 A
Pulsed drain current319 A
Power dissipation37 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 59A; Idm: 319A; 37W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.