Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFS6H818NT1G

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
123 A
Pulsed drain current
900 A
Power dissipation
68 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTMFS6H818NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current123 A
Pulsed drain current900 A
Power dissipation68 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge46nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 900A; 68W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.