Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFS5H630NLT1G

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
120 A
Pulsed drain current
748 A
Рассеиваемая мощность
36 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTMFS5H630NLT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current120 A
Pulsed drain current748 A
Рассеиваемая мощность36 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge35nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 748A; 36W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.