ONSEMI
Транзистор NTMFS5C670NLT1G
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 50 A
- Pulsed drain current
- 440 A
- Рассеиваемая мощность
- 1.8 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 197 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%199,05 ₽
Сумма · с НДС 22%199,05 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 199,05 ₽ | |
| от 10 | 75,67 ₽ | |
| от 200 | 70,47 ₽ | |
| от 500 | 67,78 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | NTMFS5C670NLT1G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 50 A |
| Pulsed drain current | 440 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.8 W |
| Корпус | DFN5x6 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 8.8 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 20nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 440A; 1.8W; DFN5x6
Документация
Документ производителяДокумент производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.