Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFS5C406NLT1G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
362A
Pulsed drain current
900A
Power dissipation
90W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTMFS5C406NLT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current362A
Pulsed drain current900A
Power dissipation90W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.7mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge149nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 362A; Idm: 900A; 90W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.