Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFS5113PLT1G

Фото уточняется
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-64 A
Pulsed drain current
-415 A
Power dissipation
75 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTMFS5113PLT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-64 A
Pulsed drain current-415 A
Power dissipation75 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance14 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge83nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -64A; Idm: -415A; 75W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.