Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFS4D0N08XT1G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
119A
Pulsed drain current
469A
Power dissipation
107W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTMFS4D0N08XT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80V
Drain current119A
Pulsed drain current469A
Power dissipation107W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20V
On-state resistance3.5mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge33nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 119A; Idm: 469A; 107W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.