Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFS4C302NT1G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
230A
Pulsed drain current
900A
Power dissipation
96W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTMFS4C302NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current230A
Pulsed drain current900A
Power dissipation96W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.15mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 230A; Idm: 900A; 96W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.