Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFS4C10NT1G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
46 A
Pulsed drain current
340 A
Power dissipation
23.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTMFS4C10NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current46 A
Pulsed drain current340 A
Power dissipation23.6 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6.95 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; Idm: 340A; 23.6W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.