Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFS4C06NT1G

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
69 A
Pulsed drain current
476 A
Power dissipation
30.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTMFS4C06NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current69 A
Pulsed drain current476 A
Power dissipation30.5 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 69A; Idm: 476A; 30.5W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.