Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFS4C028NT1G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
52A
Pulsed drain current
146A
Power dissipation
25.5W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTMFS4C028NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current52A
Pulsed drain current146A
Power dissipation25.5W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20V
On-state resistance4.73mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10.9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 52A; Idm: 146A; 25.5W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.