Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFS4C025NT1G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
69 A
Pulsed drain current
200 A
Power dissipation
30.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTMFS4C025NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current69 A
Pulsed drain current200 A
Power dissipation30.5 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.41 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 69A; Idm: 200A; 30.5W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.