Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFS3D5N08XT1G

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
135 A
Pulsed drain current
543 A
Power dissipation
119 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTMFS3D5N08XT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current135 A
Pulsed drain current543 A
Power dissipation119 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 135A; Idm: 543A; 119W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.