Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFS3D1N04XMT1G

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
83 A
Pulsed drain current
506 A
Power dissipation
39 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTMFS3D1N04XMT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current83 A
Pulsed drain current506 A
Power dissipation39 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 506A; 39W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.