Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFS3D0N08XT1G

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
154 A
Pulsed drain current
634 A
Рассеиваемая мощность
133 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTMFS3D0N08XT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current154 A
Pulsed drain current634 A
Рассеиваемая мощность133 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge45nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 154A; Idm: 634A; 133W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.