Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFS2D3N04XMT1G

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
111 A
Pulsed drain current
682 A
Рассеиваемая мощность
53 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTMFS2D3N04XMT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current111 A
Pulsed drain current682 A
Рассеиваемая мощность53 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.35 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 111A; Idm: 682A; 53W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.