Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFS0D8N03CT1G

NTMFS0D8N03CT1G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
337 A
Pulsed drain current
900 A
Power dissipation
150 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTMFS0D8N03CT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current337 A
Pulsed drain current900 A
Power dissipation150 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.74 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge50nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 337A; Idm: 900A; 150W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.