Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFS0D8N02P1ET1G

NTMFS0D8N02P1ET1G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25 V
Drain current
365 A
Pulsed drain current
762 A
Power dissipation
139 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTMFS0D8N02P1ET1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25 V
Drain current365 A
Pulsed drain current762 A
Power dissipation139 W
КорпусSO8
On-state resistance0.68 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge52nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 365A; Idm: 762A; 139W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.