Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFS0D7N03CGT1G

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
409 A
Pulsed drain current
900 A
Рассеиваемая мощность
187 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTMFS0D7N03CGT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current409 A
Pulsed drain current900 A
Рассеиваемая мощность187 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.65 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge147nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 409A; Idm: 900A; 187W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.