Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFS006N12MCT1G

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
120 V
Drain current
93 A
Pulsed drain current
522 A
Рассеиваемая мощность
41 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTMFS006N12MCT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage120 V
Drain current93 A
Pulsed drain current522 A
Рассеиваемая мощность41 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge42nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 93A; Idm: 522A; 41W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.