ONSEMI

Транзистор NTMFS005P03P8ZT1G

DFN5Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -164 A
Pulsed drain current: -597 A
Power dissipation: 104 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NTMFS005P03P8ZT1G
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-164 A
Pulsed drain current	-597 A
Power dissipation	104 W
Корпус	DFN5
Gate-source voltage	±25 V
On-state resistance	2.7 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	112nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -164A; Idm: -597A; 104W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.