Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFS002N10MCLT1G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
175A
Pulsed drain current
1536A
Power dissipation
94W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTMFS002N10MCLT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current175A
Pulsed drain current1536A
Power dissipation94W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20V
On-state resistance2.8mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge97nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 175A; Idm: 1536A; 94W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.