Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFD6H846NLT1G

NTMFD6H846NLT1G
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
31 A
Pulsed drain current
114 A
Power dissipation
17 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTMFD6H846NLT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current31 A
Pulsed drain current114 A
Power dissipation17 W
КорпусDFN8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance15 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 31A; Idm: 114A; 17W; DFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.