Антава

ONSEMI

Транзистор NTMFD5C680NLT1G

NTMFD5C680NLT1G
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
20 A
Pulsed drain current
66 A
Power dissipation
12 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTMFD5C680NLT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current20 A
Pulsed drain current66 A
Power dissipation12 W
КорпусDFN8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance28 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 20A; Idm: 66A; 12W; DFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.