ONSEMI
Транзистор NTMFD5C674NLT1G
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 42 A
- Pulsed drain current
- 119 A
- Power dissipation
- 18 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | NTMFD5C674NLT1G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 42 A |
| Pulsed drain current | 119 A |
| Power dissipation | 18 W |
| Корпус | DFN8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 14.4 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 10nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 42A; Idm: 119A; 18W; DFN8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.